Transistors. Page 77 sur 114. Avtronic

Transistor IRF9610

3.42€ TTC

187 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -1.75A. Puissance: 20W. Boîtier: TO220.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9620

3.98€ TTC

39 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3.5A. Puissance: 40W <1.5R(1.5A. Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9622

3.70€ TTC

38 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds): 2.4 Ohms. Boîtier: TO220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9630

4.65€ TTC

108 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -6.5A. Puissance: 75W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9640

4.48€ TTC

116 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W. Résistance passante (Rds): 0.5 Ohm. Boîtier: TO220AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF9Z34N

2.69€ TTC

108 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -19A. Puissance: 68W. Résistance passante (Rds)<0.1 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF9Z34NS

3.98€ TTC

645 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 19A. Puissance: 68W. Résistance passante (Rds)<0.1 Ohms. Boîtier: D2-Pak.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB11N50A

6.33€ TTC

20 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 11A/44Ap 170W 0.52R (TC:100°C: 7A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: IRFB11N50APBF. Boîtier: TO220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 11A. Puissance: 170 W. Id(T:100): 7A. Id(imp): 44 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) ma

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB18N50K

14.56€ TTC

42 En stock

Transistor IRFB18N50K N-MOS 500V 17A 220W<0.29R(11A). SMPS MOSFET. HEXFET Power MOSFET. Pulse Current Idm:68A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB td(on)22nS. td(off)45nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB20N50K

11.37€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 20A. Référence d'origine constructeur: IRFB20N50KPBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 20A. Puissance: 280W. Résistance Rds: 0.21 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB23N15D

7.84€ TTC

2 En stock

Transistor IRFB23N15D N-MOS 150V 23A 136W<0.09R(17A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 17 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB260N

8.96€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFB260N N-MOS 200V 56A 380W<0.04R(40A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 56 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3006

19.94€ TTC

31 En stock

Transistor IRFB3006 N-MOS 60V 270A 375W<0.0021R(190A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMP. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 270 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB31N20D

7.22€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 31A/124Ap 200W 0.082R (21A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3206

8.57€ TTC

108 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 210A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0024 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3207

11.93€ TTC

53 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 75V 170A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0033 Ohms. Boîtier: TO220.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3207Z

8.34€ TTC

64 En stock

Transistor MOSFET canal N 75V 170A/670Ap 300W 0.0033R (120A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFB3207ZPBF. Marquage boîtier: FB3207. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO-220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 75V. Id(T:25): 170A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 120A. Id(imp): 670 Ap. Idss (mi

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4019

5.38€ TTC

132 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 17A/51Ap 80W 0.08R (12A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4020

6.33€ TTC

59 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 18A. Référence d'origine constructeur: IRFB4020PBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 100W. Résistance Rds: 80 milliOhms. Digital Audio MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -40°C à +175°C.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB4110PBF

11.20€ TTC

84 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 180A/670Ap 370W. Résistance passante RDSon : 0.0037 Ohms (130A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4227

10.42€ TTC

72 En stock

Transistor IRFB4227 N-MOS 200V 65A 330W<0.0197R(46A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46 A. Rds (Ohms): 0.0197.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRF9610

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -1.75A. Puissance: 20W. Boîtier: TO220.

Transistor IRF9620

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3.5A. Puissance: 40W <1.5R(1.5A. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9622

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -3A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds): 2.4 Ohms. Boîtier: TO220AB.

Transistor IRF9630

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -6.5A. Puissance: 75W. Résistance passante (Rds)<0.8 Ohm. Boîtier: TO220AB.

Transistor IRF9640

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W. Résistance passante (Rds): 0.5 Ohm. Boîtier: TO220AB.

Transistor IRF9Z34N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -19A. Puissance: 68W. Résistance passante (Rds)<0.1 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9Z34NS

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 19A. Puissance: 68W. Résistance passante (Rds)<0.1 Ohms. Boîtier: D2-Pak.

Transistor IRFB11N50A

Transistor IRFB18N50K

Transistor IRFB18N50K N-MOS 500V 17A 220W<0.29R(11A). SMPS MOSFET. HEXFET Power MOSFET. Pulse Current Idm:68A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB td(on)22nS. td(off)45nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

Transistor IRFB20N50K

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 20A. Référence d'origine constructeur: IRFB20N50KPBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 20A. Puissance: 280W. Résistance Rds: 0.21 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor IRFB23N15D

Transistor IRFB23N15D N-MOS 150V 23A 136W<0.09R(17A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 17 A.

Transistor IRFB260N

Transistor IRFB260N N-MOS 200V 56A 380W<0.04R(40A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 56 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 40 A.

Transistor IRFB3006

Transistor IRFB3006 N-MOS 60V 270A 375W<0.0021R(190A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMP. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 270 A.

Transistor IRFB31N20D

Transistor MOSFET canal N 200V 31A/124Ap 200W 0.082R (21A)

Transistor IRFB3206

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 210A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0024 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

Transistor IRFB3207

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 75V 170A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0033 Ohms. Boîtier: TO220.

Transistor IRFB3207Z

Transistor IRFB4019

Transistor MOSFET canal N 150V 17A/51Ap 80W 0.08R (12A)

Transistor IRFB4020

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 18A. Référence d'origine constructeur: IRFB4020PBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 100W. Résistance Rds: 80 milliOhms. Digital Audio MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -40°C à +175°C.

Transistor MOSFET canal-N IRFB4110PBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 180A/670Ap 370W. Résistance passante RDSon : 0.0037 Ohms (130A)

Transistor IRFB4227

Transistor IRFB4227 N-MOS 200V 65A 330W<0.0197R(46A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46 A. Rds (Ohms): 0.0197.

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